核心提示：的高精真空設備和尾氣處理系統(tǒng)制造商及相應增值服務供應商Edwards公司宣布推出新的iXH645H干泵，新設備經(jīng)過優(yōu)化，適用于LED制造中使用的MOCVD工藝，以及在柵堆疊(gate stack)中使用III-V材料的化合物半導體制造工藝。

新型iXH645H干泵在嚴苛的制造環(huán)境中僅需zui少維護并實現(xiàn)正常運行時間zui大化

英國西薩塞克斯郡，克勞雷(2012年7月3日)的高精真空設備和尾氣處理系統(tǒng)制造商及相應增值服務供應商Edwards公司宣布推出新的iXH645H干泵，新設備經(jīng)過優(yōu)化，適用于LED制造中使用的MOCVD工藝，以及在柵堆疊(gate stack)中使用III-V材料的化合物半導體制造工藝。請參觀Edwards公司在InterSolar展會和SEMICON/West展會的5351號展臺，以便了解有關iXH系列的更多信息。上述兩個展會將于2012年7月10-12日在美國加利福尼亞州舊金山舉辦。

iXH645H提供了非常高的氣流量，并能夠在一代LED制造設備所需的高負載下連續(xù)工作。iXH系列干泵采用*的技術，zui大限度地減少了維護需求，并實現(xiàn)正常運行時間zui大化，有助于降低成本。

Edwards公司LED市場邵偉稱：“iXH系列干泵的新成員是設計用于滿足兩個快速發(fā)展的高技術制造細分市場的需求。由于具備出色的照明效率，LED照明產(chǎn)品逐漸被視為白熾燈照明的環(huán)保替代選擇，我們看到，中國、韓國、日本和英國zui近通過立法，將逐步淘汰傳統(tǒng)的大功率照明產(chǎn)品。”

邵偉補充道：“同時，在化合物半導體制造中使用III-V材料，正在推動摩爾定律(Moore’s Law)延續(xù)到下一代設計節(jié)點。”

LED和化合物半導體制造工藝通常使用大流量氕氣和高腐蝕性氨氣。iXH645H業(yè)已進行設計優(yōu)化以滿足這些要求，具有出色的氫氣抽空性能并采用耐腐蝕設計，包括一個保護泵密封物的氮氣吹掃屏障（purge barrier）。XH645泵具有高溫工作能力，有助于防止可能出現(xiàn)的磷化合物冷凝。另外，該泵*的油潤滑和密封技術省去了定期保養(yǎng)需求，同時其散熱和電機設計可以防止出現(xiàn)過熱、電機過載或工作區(qū)域受限等問題。iXH645H泵的優(yōu)化溫度控制系統(tǒng)確保泵在約30分鐘啟動時間內(nèi)為工藝做好準備。